dc.contributor.advisor | Vieira, Rodrigo Padilha | |
dc.creator | Lersch, Tainá | |
dc.date.accessioned | 2022-03-29T12:24:29Z | |
dc.date.available | 2022-03-29T12:24:29Z | |
dc.date.issued | 2022-02-15 | |
dc.date.submitted | 2022 | |
dc.identifier.uri | http://repositorio.ufsm.br/handle/1/23975 | |
dc.description | TCC (graduação) - Universidade Federal de Santa Maria, Centro de Tecnologia, Curso de Engenharia Elétrica, RS,2022 | por |
dc.description.abstract | This work presents a comparative study between the power and efficiency losses of silicon
IGBTs semiconductors and silicon carbide MOSFETs. Through this, we seek to establish a
theoretical basis for the exchange of existing keys in drive bench at the University’s Power
and Control Electronics Group Federal of Santa Maria. This was based on parameters
provided by an permanent magnet synchronous circuit with rated voltage of 72V and 70A,
driven by a two-level three-phase frequency inverter. The study compared the efficiency of
four separate switches, two IGBTs and two MOSFETs, operating at a switching frequency
of 10kHz. The simulations and analyzes were based on a simplified circuit representing the
system of a DC voltage source, a frequency inverter and a load three-phase, implemented
using Typhoon HIL software. From this, it is possible to observe that the IGBT key, currently
used on the bench, in addition to being oversized, was not the most efficient. The key that
presented the highest efficiency was a SiC MOSFET, whose operating temperatures are
higher, but consistent with the project. In addition, there are other points on the bench,
such as the fact that the heat sink and the gate drives can be different, in order to establish
a better dimensioning for the system. | eng |
dc.language | por | por |
dc.publisher | Universidade Federal de Santa Maria | por |
dc.rights | Acesso Aberto | por |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ | * |
dc.subject | Eficiência | por |
dc.subject | IGBT | por |
dc.subject | Inversor | por |
dc.subject | Mosfet | por |
dc.subject | Simulações | por |
dc.title | Estudo e análise comparativa de perdas em chaves semicondutores em acionamento de motores elétricos | por |
dc.type | Trabalho de Conclusão de Curso de Graduação | por |
dc.degree.local | Santa Maria, RS, Brasil | por |
dc.degree.graduation | Curso de Engenharia Elétrica | por |
dc.description.resumo | Este trabalho apresenta um estudo comparativo entre as perdas de potência e eficiência de
semicondutores IGBTs de silício e MOSFETs de carbeto de silício. Através deste, busca-se
estabelecer embasamento teórico para a troca das chaves existentes em bancada de acio-
namento no Grupo de Eletrônica de Potência e Controle da Universidade Federal de Santa
Maria. O trabalho baseou-se em parâmetros fornecidos por um motor síncrono de ímãs
permanentes com tensão nominal de 72V e 70A, acionado por de um inversor de frequên-
cia trifásico de dois níveis. O estudo comparou a eficiência de quatro chaves distintas, duas
IGBT e duas MOSFET, operando em uma frequência de comutação de 10kHz. As simula-
ções e análises basearam-se em um circuito simplificado representando o sistema de uma
fonte de tensão contínua, um inversor de frequência e uma carga trifásica, implementados
utilizando o software Typhoon HIL. A partir disso, é possível observar que a chave IGBT,
atualmente utilizada em bancada, além de sobredimensionada, não foi a mais eficiente. A
chave que apresentou maior eficiência foi um MOSFET SiC, que apresentou temperaturas
de operação mais elevadas, mas condizentes com o projeto. Ademais, verifica-se outros
pontos na bancada, como o fato de que o dissipador de calor e o gate drives podem ser
revisados, afim de estabelecer um melhor dimensionamento para o sistema. | por |
dc.publisher.country | Brasil | por |
dc.publisher.initials | UFSM | por |
dc.subject.cnpq | CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICA | por |
dc.publisher.unidade | Centro de Tecnologia | por |