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dc.contributor.advisorOliveira, Artur Harres de
dc.contributor.advisorDorneles, Lucio Strazzabosco
dc.creatorSeeger, Rafael Lopes
dc.date.accessioned2017-01-09T15:15:24Z
dc.date.available2017-01-09T15:15:24Z
dc.date.issued2016-12-15
dc.date.submitted2016
dc.identifier.urihttp://repositorio.ufsm.br/handle/1/2484
dc.descriptionTrabalho de conclusão de curso (graduação) - Universidade Federal de Santa Maria, Centro de Ciências Naturais e Exatas, Curso de Física, RS, 2016.por
dc.description.abstractSpintronics is an emergent research field that seeks a better understanding of the role of electronic spin in solid state physics. Exploring electrons’ charge and spin, significant technological advances might be achieved, enabling the development of revolutionary devices. Generation, manipulation and detection of spin currents are key aspects for spintronics. By exciting the ferromagnetic resonance (FMR), it is possible to generate pure spin currents through spin pumping effect. These currents propagate from a ferromagnetic layer into an adjacent non-magnetic metallic (NM) layer. In the NM material, spin orbit coupling gives rise to spin dependent scattering, converting spin currents in charge currents that may be easily detected. This phenomenon is known as inverse spin Hall effect (ISHE). The main goal of the present work is to study ISHE in nanostructured films growth by magnetron sputtering. To establish FMR, we will use a shorted microstripline connected to a vector network analyzer. Electrical dc signals will be measured with a nanovoltmeter directly connected to the films. Since different mechanism may generate a dc voltage across samples in FMR, two methods will be employed to properly separate their contributions. The first one is based on an angular measurement, the second on the inversion of the spin current injection direction.eng
dc.languageporpor
dc.publisherUniversidade Federal de Santa Mariapor
dc.rightsAcesso Abertopor
dc.subjectCorrente de spinpor
dc.subjectEfeito Hall de spin inversopor
dc.subjectRessonância ferromagnéticapor
dc.subjectSpin currentseng
dc.subjectInverse spineng
dc.subjectHall effecteng
dc.subjectFerromagnetic resonanceeng
dc.titleDetecção elétrica de correntes de spin em sistemas nano-estruturadospor
dc.title.alternativeElectrical detection of spin currents in nanostructured systemspor
dc.typeTrabalho de Conclusão de Curso de Graduaçãopor
dc.degree.localSanta Maria, RS, Brasilpor
dc.degree.graduationFísicapor
dc.description.resumoSpintrônica é um campo de pesquisa emergente que busca compreender o papel do spin eletrônico na física do estado sólido. Avanços nesta área de estudos permitirão o uso energeticamente eficiente de memórias magnéticas e prometem o desenvolvimento de novos dispositivos através da manipulação de sinais com correntes de spin, sem fluxo de carga elétrica. Através da ressonância ferromagnética (FMR) é possível gerar correntes de spin através do efeito conhecido como spin pumping. Estas correntes se propagam do material ferromagnético para um material metálico não-magnético (NM) adjacente. No material NM, o acoplamento spin-órbita gera espalhamento dependente de spin, convertendo correntes de spin em correntes de carga que são facilmente detectadas. Este fenômeno é conhecido como efeito Hall de spin inverso. O principal objetivo deste trabalho é estudar a tensão gerada por este efeito em filmes finos nano-estruturados, crescidos por magnetron sputtering. Para estabelecer a FMR utilizaremos uma microstrip line conectada a um analisador vetorial de rede. Os sinais elétricos dc podem ser detectados diretamente sobre o filme com um nanovoltímetro. Já que diferentes efeitos podem gerar uma voltagem dc em amostras em FMR, utilizaremos dois métodos para separar corretamente as contribuições. O primeiro é baseado em uma medida angular, enquanto o segundo é baseado na inversão da direção de injeção de corrente de spin.por
dc.publisher.unidadeCentro de Ciências Naturais e Exataspor


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