Filmes finos de óxidos de vanádio depositados por sputtering reativo
Fecha
2006-05-18Metadatos
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Neste trabalho, foram preparadas amostras de óxidos de vanádio, com diferentes estequiometrias, na forma de filmes finos com espessuras inferiores a 100 nm. Os filmes foram preparados por "magnetron sputtering" reativo, a partir de alvo metálico de vanádio, sobre substratos de vidro ou silício. Durante a deposição, a temperatura dos substratos foi mantida em 440°C. Foram utilizadas atmosferas de Ar+O2 com pressão total de 7.5 mTorr, sendo a pressão parcial de oxigênio variada, para cada uma das amostras, entre 0.8 e 1.5 mTorr. A composição e a estrutura dos filmes preparados foi analisada, a temperatura ambiente, através de difração de RX em uma geometria teta-2teta, sendo o angulo 2teta variado entre 10 e 45 graus. Na faixa de pressões parciais estudada todas as amostras mostraram a presença de mais de um óxido diferente, geralmente texturizadas e com tamanhos de grão dependentes da fase. Para as pressões parciais menores é encontrada uma predominância de fases de dióxido de vanádio. A medida que a pressão parcial de oxigênio é aumentada, fases mais ricas em oxigênio, como V2O5 tornam-se predominantes. Estes resultados são consistentes com resultados de medidas de resistividade em função da temperatura. A partir dos resultados obtidos, são sugeridos procedimentos para a obtenção de filmes com fases únicas.