dc.creator | Rosa, Veridiane Lopes | |
dc.date.accessioned | 2019-04-01T14:17:27Z | |
dc.date.available | 2019-04-01T14:17:27Z | |
dc.date.issued | 2018-08-31 | |
dc.identifier.uri | http://repositorio.ufsm.br/handle/1/16026 | |
dc.description.abstract | This paper presents the losses and efficiency evaluation to three different topologies. This paper
goals are evaluating the losses percental related to the semiconductors devices, Gallium Nitride (GaN). This paper presents the converters: synchronous Buck, quasi-resonant Buck converter and LLC resonant converter. The topologies have their losses evaluated by calculation, simulation and experimental, therefore it is possible to compare the methods. Utilizing the calculation and simulation method is possible to predict the real converter behaviour, as result is possible to evaluate each device losses. In conclusion the Gallium Nitrite have some limitations to low load applications and hard switching operation. In the resonant applications the semiconductor devices, GaN, have their losses decreased. | eng |
dc.language | por | por |
dc.publisher | Universidade Federal de Santa Maria | por |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ | * |
dc.subject | Perdas | por |
dc.subject | GaN | por |
dc.subject | Conversores ressonantes | por |
dc.subject | Losses | eng |
dc.subject | Resonant converters | eng |
dc.title | Análise de topologias para lâmpada bulbo led utilizando dispositivos semicondutores de nitreto de gálio operando em 1MHz | por |
dc.title.alternative | Analysis of topologies for bulb led lamps using gallium nitride semiconductors operating in 1MHz | eng |
dc.type | Dissertação | por |
dc.description.resumo | O presente trabalho apresenta o estudo das perdas e da eficiência para três topologias de conversores. Tendo como objetivo avaliar a percentagem de perdas relativas ao semicondutor à base de Nitreto de Gálio (GaN). As topologias empregadas neste trabalho são Buck síncrono, Buck quase-ressonante e conversor ressonante LLC. Para cada uma das topologias são avaliadas as perdas por cálculo, por simulação e de modo experimental, de forma a realizar um comparativo entre os métodos. Com o uso dos métodos de cálculo e de simulação foi possível prever-se o comportamento real dos conversores, assim como avaliar as perdas em cada um dos componentes. Com este trabalho conclui-se que o GaN possui suas limitações em aplicações de baixa potência e em aplicações em comutação forçada. Em aplicações ressonantes as perdas relativas aos semicondutores GaN, são reduzidas significativamente. | por |
dc.contributor.advisor1 | Prado, Ricardo Nederson do | |
dc.contributor.advisor1Lattes | http://lattes.cnpq.br/6324790827842684 | por |
dc.contributor.referee1 | Cosetin, Marcelo Rafael | |
dc.contributor.referee1Lattes | http://lattes.cnpq.br/4834011530700633 | por |
dc.contributor.referee2 | Russi, Jumar Luís | |
dc.contributor.referee2Lattes | http://lattes.cnpq.br/8066639517474565 | por |
dc.creator.Lattes | http://lattes.cnpq.br/3410433007803963 | por |
dc.publisher.country | Brasil | por |
dc.publisher.department | Engenharia Elétrica | por |
dc.publisher.initials | UFSM | por |
dc.publisher.program | Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica | por |
dc.subject.cnpq | CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICA | por |
dc.publisher.unidade | Centro de Tecnologia | por |