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dc.creatorRosa, Veridiane Lopes
dc.date.accessioned2019-04-01T14:17:27Z
dc.date.available2019-04-01T14:17:27Z
dc.date.issued2018-08-31
dc.identifier.urihttp://repositorio.ufsm.br/handle/1/16026
dc.description.abstractThis paper presents the losses and efficiency evaluation to three different topologies. This paper goals are evaluating the losses percental related to the semiconductors devices, Gallium Nitride (GaN). This paper presents the converters: synchronous Buck, quasi-resonant Buck converter and LLC resonant converter. The topologies have their losses evaluated by calculation, simulation and experimental, therefore it is possible to compare the methods. Utilizing the calculation and simulation method is possible to predict the real converter behaviour, as result is possible to evaluate each device losses. In conclusion the Gallium Nitrite have some limitations to low load applications and hard switching operation. In the resonant applications the semiconductor devices, GaN, have their losses decreased.eng
dc.languageporpor
dc.publisherUniversidade Federal de Santa Mariapor
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/*
dc.subjectPerdaspor
dc.subjectGaNpor
dc.subjectConversores ressonantespor
dc.subjectLosseseng
dc.subjectResonant converterseng
dc.titleAnálise de topologias para lâmpada bulbo led utilizando dispositivos semicondutores de nitreto de gálio operando em 1MHzpor
dc.title.alternativeAnalysis of topologies for bulb led lamps using gallium nitride semiconductors operating in 1MHzeng
dc.typeDissertaçãopor
dc.description.resumoO presente trabalho apresenta o estudo das perdas e da eficiência para três topologias de conversores. Tendo como objetivo avaliar a percentagem de perdas relativas ao semicondutor à base de Nitreto de Gálio (GaN). As topologias empregadas neste trabalho são Buck síncrono, Buck quase-ressonante e conversor ressonante LLC. Para cada uma das topologias são avaliadas as perdas por cálculo, por simulação e de modo experimental, de forma a realizar um comparativo entre os métodos. Com o uso dos métodos de cálculo e de simulação foi possível prever-se o comportamento real dos conversores, assim como avaliar as perdas em cada um dos componentes. Com este trabalho conclui-se que o GaN possui suas limitações em aplicações de baixa potência e em aplicações em comutação forçada. Em aplicações ressonantes as perdas relativas aos semicondutores GaN, são reduzidas significativamente.por
dc.contributor.advisor1Prado, Ricardo Nederson do
dc.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/6324790827842684por
dc.contributor.referee1Cosetin, Marcelo Rafael
dc.contributor.referee1Latteshttp://lattes.cnpq.br/4834011530700633por
dc.contributor.referee2Russi, Jumar Luís
dc.contributor.referee2Latteshttp://lattes.cnpq.br/8066639517474565por
dc.creator.Latteshttp://lattes.cnpq.br/3410433007803963por
dc.publisher.countryBrasilpor
dc.publisher.departmentEngenharia Elétricapor
dc.publisher.initialsUFSMpor
dc.publisher.programPrograma de Pós-Graduação em Engenharia Elétricapor
dc.subject.cnpqCNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICApor
dc.publisher.unidadeCentro de Tecnologiapor


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