Navegação Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica por assunto "GaN HEMT"
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Estudo comparativo entre semicondutores de silício e nitreto de gálio em circuitos de acionamento de leds
(2017-03-03)A presente dissertação apresenta um estudo comparativo do desempenho de semicondutores de silício (Si) e nitreto de gálio (GaN) em circuitos utilizados na alimentação de diodos emissores de luz. Por meio deste, procura-se ...