Estimulador elétrico funcional com balanceamento ativo de cargas integrado em tecnologia CMOS de 130nm
Fecha
2017-09-11Metadatos
Mostrar el registro completo del ítemResumen
A estimulação elétrica funcional (FES) é uma técnica que vem sendo usada para restaurar
funções neurológicas. Entre os exemplos bem sucedidos do uso de FES estão as recuperações
da audição e da visão em pacientes que sofreram doenças neurológicas. No entanto, uma
das principais preocupações em relação à neuroestimulação é garantir uma operação segura, ou
seja, não causar nenhum dano ao tecido em decorrência de uma estimulação elétrica de longo
prazo. O acúmulo de cargas no tecido pode provocar a corrosão do eletrodo e a geração de material
tóxico que danifica o tecido. Visando essa segurança, é proposta uma metodologia para o
controle de desbalanceamento de carga através de um circuito de realimentação e a alternância
dos pulsos elétricos.
O presente trabalho tem como objetivo propor a implementação de um Neuroestimulador
com balanceamento de carga ativo em tecnologia CMOS de 130nm. Uma decisão essencial
que precisa ser tomada em um projeto de um Neuroestimulador é a escolha da tecnologia de
fabricação. Levando em consideração a escolha de uma tecnologia de 130nm de baixa tensão, é
proposta também, uma metodologia de implementação de chaves tolerantes à tensão, que visa
compartilhar o mesmo "baseline" dos circuitos digitais, reduzindo custos e também a área do
circuito como um todo.
Todos resultados são demonstrados no nível de simulação de esquemático, com inclusão
dos parâmetros extraídos do layout e análise de Monte Carlo para validar o circuito. O Projeto
foi fabricado através do programa "MPW"(multi-program wafer) do IMEC, mas as amostras
não foram recebidas a tempo de permitir a inclusão dos resultados dos teste neste trabalho.
Colecciones
El ítem tiene asociados los siguientes ficheros de licencia: