Análise de single-event effects em arquiteturas de células de memória dice e norley
Resumo
O constante avanço alcançado pelas tecnologias de fabricação de dispositivos eletrônicos
tem provocado reduções significativas nas dimensões dos transístores, alcançando
escalas nanométricas. Também, observa-se uma diminuição das tensões de operação e
um aumento das frequências de relógio. Diante desse cenário, e com o crescente nível
de integração dos circuitos integrados, a sensibilidade desses componentes a partículas
presentes na atmosfera terrestre também aumentou, mesmo para dispositivos que atuam
no nível do mar. Por conta disso, aplicações que requerem um alto nível de confiabilidade
e segurança passaram a considerar a inclusão de mecanismos de tolerância a falhas
já na fase de projeto tanto de hardware quando de software. Este trabalho tem por objetivo
realizar uma análise dos efeitos provocados por Single-Event Effects nas arquiteturas
de células de memória tolerantes à radiação Norley e DICE, além do modelo tradicional
de seis transístores, em nível de esquemático através do uso do software SmartSpice, da
empresa Silvaco Inc. O principal objetivo é obter dados a respeito do comportamento
dessas estruturas em um ambiente semelhante ao encontrado na Anomalia Magnética do
Atlântico Sul, que situa-se sobre grande parte do Brasil.
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