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dc.creatorDugato, Danian Alexandre
dc.date.accessioned2018-03-22T12:58:59Z
dc.date.available2018-03-22T12:58:59Z
dc.date.issued2017-03-02
dc.identifier.urihttp://repositorio.ufsm.br/handle/1/12779
dc.description.abstractIn this work, we analyzed samples of thin films Ni81Fe19 and Pd with ZnO spacer. Ni81Fe19 is a ferromagnet with a low saturation magnetic field. Pd is a normal metal with high spinorbit coupling, much used in spin Hall effect and inverse spin Hall effect studies. ZnO is a semiconductor whose role is to reduce the charge current between layers. The sample have 5 nm of Ni81Fe19, 3 nm of Pd, and 2 nm of ZnO, with dimensions of 0.4 mm x 8 mm, deposited by magnetron sputtering. Using spin pumping we analyze the signal of the continuous voltage induced by ferromagnetic resonance. These samples the measured signal is a consequence of anisotropic magnetoresistance, anomalous Hall effect and inverse spin Hall effect. The thicknesses used contributes to a predominant inverse spin Hall effect signal. The ZnO spacer layer 2 nm reduces the effects of spin rectification, while maintaining spin current transfer.eng
dc.languageporpor
dc.publisherUniversidade Federal de Santa Mariapor
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/*
dc.subjectCorrentes de spinpor
dc.subjectEfeito Hall de spin inversopor
dc.subjectMagnetorresistênciapor
dc.subjectSpin currenteng
dc.subjectInverse spin Hall effecteng
dc.subjectMagnetoresistanceeng
dc.titleMagnetorresistência e correntes de spin em Multicamadas de Ni81Fe19/ZnO/Pdpor
dc.title.alternativeMagnetoresistance and spin current in multilayers Ni81Fe19/ZnO/Pdeng
dc.typeDissertaçãopor
dc.description.resumoNeste trabalho analisamos amostras de filmes finos de Ni81Fe19 e Pd separados por ZnO. O Ni81Fe19 foi escolhido por ser um ferromagneto com baixo campo magnético de saturação. O Pd é um metal normal com alto acoplamento spin-órbita, muito usado em estudos de efeito Hall de spin e efeito Hall de spin inverso. O ZnO é um semicondutor com o papel de diminuir a transferência de corrente de carga entre as camadas. As amostras tem espessura de 5 nm de Ni81Fe19, 3 nm de Pd e 2 nm de ZnO, com dimensões de 0,4 mm x 8 mm, depositadas por magnetron sputtering. Através da técnica de spin pumping analisamos o sinal de tensão contínua induzida por ressonância ferromagnética. Nestas amostras o sinal medido é consequência de efeitos de magnetorresistência anisotrópica, efeito Hall anômalo e efeito Hall de spin inverso. As espessuras utilizadas permitem um sinal de efeito Hall de spin inverso predominante. A camada espaçadora de 2nm de ZnO reduz os efeitos de retificação de spin, mantendo a transferência de corrente de spin.por
dc.contributor.advisor1Dorneles, Lucio Strazzabosco
dc.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/7244173039310066por
dc.contributor.referee1Pereira, Luis Gustavo
dc.contributor.referee1Latteshttp://lattes.cnpq.br/4501408216617173por
dc.contributor.referee2Silva, Ricardo Barreto da
dc.contributor.referee2Latteshttp://lattes.cnpq.br/8538297526477728por
dc.creator.Latteshttp://lattes.cnpq.br/5151833562463383por
dc.publisher.countryBrasilpor
dc.publisher.departmentFísicapor
dc.publisher.initialsUFSMpor
dc.publisher.programPrograma de Pós-Graduação em Físicapor
dc.subject.cnpqCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICApor
dc.publisher.unidadeCentro de Ciências Naturais e Exataspor


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