Navegação Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica por assunto "GaN"
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Estudo comparativo entre semicondutores de silício e nitreto de gálio em circuitos de acionamento de leds
(2017-03-03)A presente dissertação apresenta um estudo comparativo do desempenho de semicondutores de silício (Si) e nitreto de gálio (GaN) em circuitos utilizados na alimentação de diodos emissores de luz. Por meio deste, procura-se ... -
Análise de topologias para lâmpada bulbo led utilizando dispositivos semicondutores de nitreto de gálio operando em 1MHz
(2018-08-31)O presente trabalho apresenta o estudo das perdas e da eficiência para três topologias de conversores. Tendo como objetivo avaliar a percentagem de perdas relativas ao semicondutor à base de Nitreto de Gálio (GaN). As ...