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dc.contributor.advisorMartins, João Baptista dos Santos
dc.contributor.advisorFreitas, Josué Paulo José de
dc.creatorTambara, Lucas Antunes
dc.date.accessioned2022-07-13T19:11:36Z
dc.date.available2022-07-13T19:11:36Z
dc.date.issued2010-12-09
dc.date.submitted2010
dc.identifier.urihttp://repositorio.ufsm.br/handle/1/25328
dc.descriptionTrabalho de conclusão de curso (graduação) - Universidade Federal de Santa Maria, Centro de Tecnologia, Curso de Ciência da Computação, RS, 2010.por
dc.description.abstractThe constant progress achieved by the manufacturing technologies of electronic devices has led to significant reductions in the transistors sizes, reaching nanometer sizes. Also, it is observed a decrease in the operating voltages and a increase in the clock frequencies. Given this scenario, and the increasing integration level of the integrated circuits, the sensitivity of these components to particles in the atmosphere has also increased, even for devices that operate at the sea level. Because of this, applications that require a high level of reliability and security have begun to consider the inclusion of fault tolerance mechanisms already in the design phase even in hardware as in software. This work aims to perform an analysis of Single-Event Effects in radiation tolerant architectures of memory cells Norley and DICE, beyond the traditional six transistors model, at schematic level by using the software SmartSpice of the company Silvaco Inc. The main objective is obtain data about the behavior of these structures in an environment similar to that found in the South Atlantic Magnetic Anomaly, which is situated on a large part of Brazil.eng
dc.languageporpor
dc.rightsAcesso Abertopor
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/*
dc.subjectMicroeletrônicapor
dc.subjectCélula de memóriapor
dc.subjectSRAMpor
dc.subjectSEEeng
dc.titleAnálise de single-event effects em arquiteturas de células de memória dice e norleypor
dc.typeTrabalho de Conclusão de Curso de Graduaçãopor
dc.degree.localSanta Maria, RS, Brasil.por
dc.description.resumoO constante avanço alcançado pelas tecnologias de fabricação de dispositivos eletrônicos tem provocado reduções significativas nas dimensões dos transístores, alcançando escalas nanométricas. Também, observa-se uma diminuição das tensões de operação e um aumento das frequências de relógio. Diante desse cenário, e com o crescente nível de integração dos circuitos integrados, a sensibilidade desses componentes a partículas presentes na atmosfera terrestre também aumentou, mesmo para dispositivos que atuam no nível do mar. Por conta disso, aplicações que requerem um alto nível de confiabilidade e segurança passaram a considerar a inclusão de mecanismos de tolerância a falhas já na fase de projeto tanto de hardware quando de software. Este trabalho tem por objetivo realizar uma análise dos efeitos provocados por Single-Event Effects nas arquiteturas de células de memória tolerantes à radiação Norley e DICE, além do modelo tradicional de seis transístores, em nível de esquemático através do uso do software SmartSpice, da empresa Silvaco Inc. O principal objetivo é obter dados a respeito do comportamento dessas estruturas em um ambiente semelhante ao encontrado na Anomalia Magnética do Atlântico Sul, que situa-se sobre grande parte do Brasil.por
dc.publisher.countryBrasilpor
dc.publisher.initialsUFSMpor
dc.subject.cnpqCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::CIENCIA DA COMPUTACAOpor
dc.publisher.unidadeCentro de Tecnologiapor


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