dc.contributor.advisor | Martins, João Baptista dos Santos | |
dc.contributor.advisor | Freitas, Josué Paulo José de | |
dc.creator | Tambara, Lucas Antunes | |
dc.date.accessioned | 2022-07-13T19:11:36Z | |
dc.date.available | 2022-07-13T19:11:36Z | |
dc.date.issued | 2010-12-09 | |
dc.date.submitted | 2010 | |
dc.identifier.uri | http://repositorio.ufsm.br/handle/1/25328 | |
dc.description | Trabalho de conclusão de curso (graduação) - Universidade Federal de Santa
Maria, Centro de Tecnologia, Curso de Ciência da Computação, RS, 2010. | por |
dc.description.abstract | The constant progress achieved by the manufacturing technologies of electronic devices
has led to significant reductions in the transistors sizes, reaching nanometer sizes.
Also, it is observed a decrease in the operating voltages and a increase in the clock frequencies.
Given this scenario, and the increasing integration level of the integrated circuits,
the sensitivity of these components to particles in the atmosphere has also increased,
even for devices that operate at the sea level. Because of this, applications that require a
high level of reliability and security have begun to consider the inclusion of fault tolerance
mechanisms already in the design phase even in hardware as in software. This work
aims to perform an analysis of Single-Event Effects in radiation tolerant architectures of
memory cells Norley and DICE, beyond the traditional six transistors model, at schematic
level by using the software SmartSpice of the company Silvaco Inc. The main objective is
obtain data about the behavior of these structures in an environment similar to that found
in the South Atlantic Magnetic Anomaly, which is situated on a large part of Brazil. | eng |
dc.language | por | por |
dc.rights | Acesso Aberto | por |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ | * |
dc.subject | Microeletrônica | por |
dc.subject | Célula de memória | por |
dc.subject | SRAM | por |
dc.subject | SEE | eng |
dc.title | Análise de single-event effects em arquiteturas de células de memória dice e norley | por |
dc.type | Trabalho de Conclusão de Curso de Graduação | por |
dc.degree.local | Santa Maria, RS, Brasil. | por |
dc.description.resumo | O constante avanço alcançado pelas tecnologias de fabricação de dispositivos eletrônicos
tem provocado reduções significativas nas dimensões dos transístores, alcançando
escalas nanométricas. Também, observa-se uma diminuição das tensões de operação e
um aumento das frequências de relógio. Diante desse cenário, e com o crescente nível
de integração dos circuitos integrados, a sensibilidade desses componentes a partículas
presentes na atmosfera terrestre também aumentou, mesmo para dispositivos que atuam
no nível do mar. Por conta disso, aplicações que requerem um alto nível de confiabilidade
e segurança passaram a considerar a inclusão de mecanismos de tolerância a falhas
já na fase de projeto tanto de hardware quando de software. Este trabalho tem por objetivo
realizar uma análise dos efeitos provocados por Single-Event Effects nas arquiteturas
de células de memória tolerantes à radiação Norley e DICE, além do modelo tradicional
de seis transístores, em nível de esquemático através do uso do software SmartSpice, da
empresa Silvaco Inc. O principal objetivo é obter dados a respeito do comportamento
dessas estruturas em um ambiente semelhante ao encontrado na Anomalia Magnética do
Atlântico Sul, que situa-se sobre grande parte do Brasil. | por |
dc.publisher.country | Brasil | por |
dc.publisher.initials | UFSM | por |
dc.subject.cnpq | CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::CIENCIA DA COMPUTACAO | por |
dc.publisher.unidade | Centro de Tecnologia | por |