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dc.contributor.advisorMartins, João Baptista dos Santos
dc.contributor.advisorDessbesell, Gustavo Fernando
dc.creatorGuareschi, William do Nascimento
dc.date.accessioned2022-07-18T14:12:58Z
dc.date.available2022-07-18T14:12:58Z
dc.date.issued2010-12-09
dc.date.submitted2010
dc.identifier.urihttp://repositorio.ufsm.br/handle/1/25377
dc.descriptionTrabalho de conclusão de curso (graduação) - Universidade Federal de Santa Maria, Centro de Tecnologia, Curso de Ciência da Computação, RS, 2010.por
dc.description.abstractThis project consists of a Computer Science Graduation Work from Federal University of Santa Maria. In this project were studied techniques and tools for simulation of Single Event Effects (SEE) - radiation effects on integrated circuits - using the SmartSpice software, on different architectures of memory cells in schematic level. The disturbance’s simulation caused by radiation on eletronic devices become mandatory for applications that need high reliability and security, been performed since initial stages of the project. With that simulations, a survey was made about the charged particles impact trapped on the atmosphere and ground level on these circuits. The objective was to simulate Single Event Effects in the default 6 transistors memory cell, besides the Whitaker/Liu and the HIT cells, designed to be radiation tolerant. It will possibility its posterior use by Santa Maria Design House (SMDH), in cooperation with Southern Regional Space Research Center from National Institute for Space Research (CRS/INPE).eng
dc.languageporpor
dc.publisherUniversidade Federal de Santa Mariapor
dc.rightsAcesso Abertopor
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/*
dc.subjectCélulas de memóriapor
dc.subjectTolerância a radiaçãopor
dc.subjectSingle event effectseng
dc.subjectMicroeletrônicapor
dc.titleImplementação de células de memória e simulações de Single Event Effectspor
dc.typeTrabalho de Conclusão de Curso de Graduaçãopor
dc.degree.localSanta Maria, RS, Brasil.por
dc.description.resumoEste projeto constitui um Trabalho de Graduação do Curso de Ciência da Computação da Universidade Federal de Santa Maria (UFSM). Neste projeto foram estudadas técnicas e ferramentas de simulação de Single Event Effects - efeitos da radiação em circuitos integrados - a partir do software SmartSpice, em diferentes arquiteturas de células de memória, em nível de circuito. As simulações de distúrbios causados pela radiação em dispositivos eletrônicos tornam-se mandatórias para aplicações que necessitam garantias de alta confiabilidade e segurança, sendo realizadas desde etapas iniciais do projeto. Buscou-se, com a simulação dos efeitos radioativos em dispositivos de memória estática, fazer um levantamento do impacto de partículas carregadas presentes na atmosfera, e mesmo em nível terrestre, sobre estes circuitos. Objetivou-se, em particular, realizar simulações em três tipos de células de memória: uma célula padrão de 6 transistores, e duas projetadas para serem tolerantes aos SEEs - Whitaker/Liu e HIT, que possibilitem o seu uso posterior pela Santa Maria Design House (SMDH), juntamente com o Centro Regional Sul de Pesquisas Espaciais do Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (CRS/INPE).por
dc.publisher.countryBrasilpor
dc.publisher.initialsUFSMpor
dc.subject.cnpqCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::CIENCIA DA COMPUTACAOpor
dc.publisher.unidadeCentro de Tecnologiapor


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