dc.contributor.advisor | Martins, João Baptista dos Santos | |
dc.contributor.advisor | Dessbesell, Gustavo Fernando | |
dc.creator | Guareschi, William do Nascimento | |
dc.date.accessioned | 2022-07-18T14:12:58Z | |
dc.date.available | 2022-07-18T14:12:58Z | |
dc.date.issued | 2010-12-09 | |
dc.date.submitted | 2010 | |
dc.identifier.uri | http://repositorio.ufsm.br/handle/1/25377 | |
dc.description | Trabalho de conclusão de curso (graduação) - Universidade Federal de Santa
Maria, Centro de Tecnologia, Curso de Ciência da Computação, RS, 2010. | por |
dc.description.abstract | This project consists of a Computer Science Graduation Work from Federal University
of Santa Maria. In this project were studied techniques and tools for simulation of
Single Event Effects (SEE) - radiation effects on integrated circuits - using the SmartSpice
software, on different architectures of memory cells in schematic level.
The disturbance’s simulation caused by radiation on eletronic devices become mandatory
for applications that need high reliability and security, been performed since initial
stages of the project. With that simulations, a survey was made about the charged particles
impact trapped on the atmosphere and ground level on these circuits. The objective
was to simulate Single Event Effects in the default 6 transistors memory cell, besides the
Whitaker/Liu and the HIT cells, designed to be radiation tolerant. It will possibility its
posterior use by Santa Maria Design House (SMDH), in cooperation with Southern Regional
Space Research Center from National Institute for Space Research (CRS/INPE). | eng |
dc.language | por | por |
dc.publisher | Universidade Federal de Santa Maria | por |
dc.rights | Acesso Aberto | por |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ | * |
dc.subject | Células de memória | por |
dc.subject | Tolerância a radiação | por |
dc.subject | Single event effects | eng |
dc.subject | Microeletrônica | por |
dc.title | Implementação de células de memória e simulações de Single Event Effects | por |
dc.type | Trabalho de Conclusão de Curso de Graduação | por |
dc.degree.local | Santa Maria, RS, Brasil. | por |
dc.description.resumo | Este projeto constitui um Trabalho de Graduação do Curso de Ciência da Computação
da Universidade Federal de Santa Maria (UFSM). Neste projeto foram estudadas
técnicas e ferramentas de simulação de Single Event Effects - efeitos da radiação em circuitos
integrados - a partir do software SmartSpice, em diferentes arquiteturas de células
de memória, em nível de circuito.
As simulações de distúrbios causados pela radiação em dispositivos eletrônicos tornam-se
mandatórias para aplicações que necessitam garantias de alta confiabilidade e segurança,
sendo realizadas desde etapas iniciais do projeto. Buscou-se, com a simulação dos
efeitos radioativos em dispositivos de memória estática, fazer um levantamento do impacto
de partículas carregadas presentes na atmosfera, e mesmo em nível terrestre, sobre
estes circuitos. Objetivou-se, em particular, realizar simulações em três tipos de células
de memória: uma célula padrão de 6 transistores, e duas projetadas para serem tolerantes
aos SEEs - Whitaker/Liu e HIT, que possibilitem o seu uso posterior pela Santa Maria
Design House (SMDH), juntamente com o Centro Regional Sul de Pesquisas Espaciais
do Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (CRS/INPE). | por |
dc.publisher.country | Brasil | por |
dc.publisher.initials | UFSM | por |
dc.subject.cnpq | CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::CIENCIA DA COMPUTACAO | por |
dc.publisher.unidade | Centro de Tecnologia | por |