dc.creator | Prado, Edemar de Oliveira | |
dc.creator | Bolsi, Pedro Cerutti | |
dc.creator | Sartori, Hamiltom Confortin | |
dc.creator | Pinheiro, José Renes | |
dc.date.accessioned | 2023-11-22T19:52:26Z | |
dc.date.available | 2023-11-22T19:52:26Z | |
dc.date.submitted | 2018-10-24 | |
dc.identifier.uri | http://repositorio.ufsm.br/handle/1/30653 | |
dc.language | por | por |
dc.relation.ispartof | 11th Seminar on Power Electronics and Control (SEPOC 2018) | por |
dc.rights | Acesso Aberto | por |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ | * |
dc.subject | Transistores de potência | por |
dc.subject | perdas | por |
dc.subject | potência | por |
dc.subject | frequência | por |
dc.title | Influência dos parâmetros do conversor em diferentes tecnologias de transistores de potência | por |
dc.type | Trabalho Publicado em Evento | por |
dc.description.resumo | Este artigo apresenta uma metodologia para seleção de transistores de potência para aplicações em conversores estáticos, avaliando perdas e comparando diferentes tecnologias. Esta análise baseia-se nos modelos térmicos e elétricos dos IGBTs e MOSFETs de Silício (Si), Carboneto de Silício (SiC) e Nitreto de Gálio (GaN) para determinar suas perdas, onde é avaliado o comportamento de cada tecnologia em diferentes faixas de frequência, níveis de potência e diferentes tempos de condução (duty cycles). Para isto foi desenvolvido um algoritmo capaz de calcular perdas por condução e comutação nos dispositivos, por meio de um processo de varredura de frequência, considerando diferentes níveis de potência e tempos de condução. Os resultados mostram as faixas de frequência, níveis de corrente e tempos de condução em que cada tecnologia apresentou melhor desempenho (menores perdas), indicando a tecnologia mais apropriada a ser utilizada em cada aplicação especifica. | por |
dc.publisher.country | Brasil | por |
dc.subject.cnpq | CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICA | por |