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dc.creatorRigo, Vagner Alexandre
dc.date.accessioned2017-02-10
dc.date.available2017-02-10
dc.date.issued2006-06-25
dc.identifier.citationRIGO, Vagner Alexandre. Study of the Thermal Properties of Nanofios of Silício. 2006. 81 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Santa Maria, Santa Maria, 2006.por
dc.identifier.urihttp://repositorio.ufsm.br/handle/1/9174
dc.description.abstractIn this work we present the results of the study of thermal stability of silicon nanowires (SiNWs), carried out by computational simulation using Monte Carlo methods. The study focuses on cylindrical nanowires grown in the [001], [110] and [111] directions with diameters up to 6nm. For the case of nanowires in the [001] direction, hollow structures have been studied. These hollow structures present a fixed 5nm external diameter and variable internal diameters. Hydrogen passivated nanowires, grown in the [111] direction, have also been studied. The Tersoff potential has been inplemented to describe the Si-Si and Si-H interactions. For the nonpassivated nanowires, the calculations show that the nanowires grown in the [110] direction are the most stable ones, with the nanowires grown in the [001] direction being determined to melt at the lower temperatures. Passivated nanowires, grown at [111] direction, are seen to melt at lower temperatures when compareted to the non-passivated nanowires with similar diameters and grown at the same direction. A fit of the melting temperatures, as a function of the diameter of the nanowires, show that the surface to bulk ratio has a great influence on the melting temperature of the Si nanowires. This study was performed using the "mcsim"code, by Prof. Dr. Ricardo Andreas Sauerwein, of the Santa Maria Federal University.eng
dc.description.sponsorshipConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico
dc.formatapplication/pdfpor
dc.languageporpor
dc.publisherUniversidade Federal de Santa Mariapor
dc.rightsAcesso Abertopor
dc.subjectFísicapor
dc.subjectSilíciopor
dc.subjectPhysicaleng
dc.subjectSilícioeng
dc.titleEstudo das Propriedades Térmicas de Nanofios de Silício por
dc.title.alternativeStudy of the Thermal Properties of Nanofios of Silícioeng
dc.typeDissertaçãopor
dc.description.resumoNeste trabalho apresentamos os resultados do estudo da estabilidade térmica de nanofios de silício (SiNWs), feito por meio de simulação computacional, através do método Monte Carlo. O estudo aborda nanofios com direções de crescimento [001], [110] e [111] em diâmetros de até 6 nm. Para o caso dos nanofios na direção [001] estudou-se também nanofios de silício ocos (nanotubos cristalinos) de diâmetro externo 5 nm e diâmetro interno variável. Estudou-se ainda nanofios de Si na direção [111], saturados com hidrogênio na superfície. No programa usado para realizar o estudo, fez-se uso do potencial de Tersoff, com os parâmetros para a descrição do silício e do hidrogênio, no caso dos nanofios saturados com H. Para o caso dos nanofios não saturados, determinou-se que os nanofios crescidos ao longo da direção [110] são térmicamente mais estáveis, sendo os nanofios na direção [001], os que apresentaram ponto de fusão a mais baixas temperaturas. Para a direção de crescimento [111], analizados os nanofios saturados e não saturados, verificou-se que os nanofios saturados com H apresentaram ponto de fusão em temperaturas mais baixas, comparativamente aos nanofios de mesmo diâmetro não saturados. As curvas de dados foram ajustadas com o algoritmo de extrapolação para redes finitas. O ajuste mostra que a razão áera volume dos nanofios tem grande influencia na temperatura de fusão dos SiNWs. Este estudo foi realizado com o programa mcsim (Monte Carlo Simulation), feito pelo Prof. Dr Ricardo Andreas Sauerwein, na Universidade Federal de Santa Maria.por
dc.contributor.advisor1Piquini, Paulo Cesar
dc.contributor.advisor1Latteshttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4782185U1por
dc.contributor.referee1Schelp, Luiz Fernando
dc.contributor.referee1Latteshttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4782843Y8por
dc.contributor.referee2Dalpian, Gustavo Martini
dc.contributor.referee2Latteshttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4706334J2por
dc.creator.Latteshttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4160990D3por
dc.publisher.countryBRpor
dc.publisher.departmentFísicapor
dc.publisher.initialsUFSMpor
dc.publisher.programPrograma de Pós-Graduação em Físicapor
dc.subject.cnpqCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICApor


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