Estudo teórico da estabilidade e propriedades eletrônicas de defeitos nativos em grafite BC2N
Abstract
Usando o formalismo do funcional da densidade com polarização de spin e aproximação do gradiente generalizado para o termo de troca-correlação, estudamos as propriedades eletrônicas e estruturais na monocamada de grafite BC2N. Nós estudamos esses defeitos em um ambiente de crescimento rico em boro e em um ambiente rico em nitrogênio. Nós observamos que em um sistema rico em Boro, o átomo de Boro ocupando o sı́tio do Carbono do tipo II (BCII) e o átomo de Carbono ocupando o sı́tio do Nitrogênio (CN), apresentam as menores energias de formação. Entretanto, em um ambiente de crescimento rico em Nitrogênio, um átomo de Nitrogênio ocupando o sı́tio do Carbono do tipo I (NCI) e o átomo de Carbono ocupando o sı́tio do Boro (CB), apresentam as menores energias de formação. Esses antissı́tios levam a monocamada de BC2N apresentar caracterı́sticas doadoras e receptoras. De acordo com nossos cálculos, os defeitos do tipo vacância apresentam uma maior energia de formação comparada com os antissı́tios e também podemos notar que para as vacâncias a reconstrução em torno do sı́tio do defeitos, depende do átomo ausente na estrutura, diferentemente de nanotubos.