Estudo do tunelamento em junções túnel de CoFeB=MgO=CoFeB
Resumo
Junções túnel magnéticas (MTJ) deCoFeB=MgO=CoFeB e multicamadas deCoFeB=MgO)x3 foram produzidas utilizando a técnica de magnetron sputtering, onde o filme isolante foi crescido em atmosfera reativas, Ar+O. As multicamadas foram produzidas visando medidas de difração de raio-X (XRD) e magnetização. As junções, para medidas de transporte. Todas as curvas IxV, não lineares, foram medidas a temperatura ambiente, e os ajustes realizados utilizando o modelo
de Simmons para barreira simétrica. Os ajustes foram realizados primeiro para as tensões positivas e depois para tensões negativas, onde a altura e a espessura da barreira, e a área efetiva de tunelamento foram considerados parâmetros livres sempre. Sendo a área efetiva de tunelamento, muito menor, do que a área produzida durante a deposição, indicando assim a existência de pontos onde a corrente de tunelamento atravessa a barreira, devido a flutuações na espessura do isolante. A posteriori foi verificado o crescimento exponencial da resistência multiplicada
pela área efetiva de tunelamento em função da espessura, utilizando somente valores calculados através das simulações das curvas IxV. Também foi verificada a curva de condutância
versus a tensão, para a investigação da oxidação ou não da interfase entre eletrodo e barreira, mostrando que quase 100% das amostras das junções túnel ocorreu oxidação do eletrodo de baixo (positivo).