Detecção elétrica da ressonância ferromagnética em filmes finos de NiFe/FeMn
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Data
2018-07-20Autor
Seeger, Rafael Lopes 
Primeiro orientador
Oliveira, Artur Harres de
Primeiro membro da banca
Viegas, Alexandre Da Cas
Segundo membro da banca
Schelp, Luiz Fernando
Metadata
Mostrar registro completoResumo
Dispositivos baseados em efeitos capazes de gerar uma tensão elétrica dc na condição
de ressonância ferromagnética (FMR) são de grande interesse para aplicações em telecomunicações,
já que tais efeitos permitem a retificação de sinais simplesmente utilizando
materiais ferromagnéticos. Em geral, para se obter FMR é necessário aplicar um campo
magnético estático externo. Porém, dependendo da frequência de excitação, o campo
magnético necessário para ressonância não é pequeno, o que tem impossibilitado aplicações
tecnológicas. Explorando os efeitos de retificação de spin e o Hall de spin inverso
em amostras que apresentam Exchange Bias foi possível retificar sinais de radiofrequência
sem a necessidade de aplicar um campo magnético externo. Voltagens dc da ordem de V
foram obtidas com filmes finos de NiFe/FeMn quando expostos à radiação de micro-ondas
em uma microstrip line para uma banda relativamente larga de frequências. Conectando
as amostras à uma carga resistiva, pode-se estimar a fração da radiação incidente que é
convertida em um voltagem dc. Este procedimento possibilita a verificação da eficiência
do sistema para eventuais aplicações de coleta e transferência de energia sem fio.
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