Implementação de células de memória e simulações de Single Event Effects
Abstract
Este projeto constitui um Trabalho de Graduação do Curso de Ciência da Computação
da Universidade Federal de Santa Maria (UFSM). Neste projeto foram estudadas
técnicas e ferramentas de simulação de Single Event Effects - efeitos da radiação em circuitos
integrados - a partir do software SmartSpice, em diferentes arquiteturas de células
de memória, em nível de circuito.
As simulações de distúrbios causados pela radiação em dispositivos eletrônicos tornam-se
mandatórias para aplicações que necessitam garantias de alta confiabilidade e segurança,
sendo realizadas desde etapas iniciais do projeto. Buscou-se, com a simulação dos
efeitos radioativos em dispositivos de memória estática, fazer um levantamento do impacto
de partículas carregadas presentes na atmosfera, e mesmo em nível terrestre, sobre
estes circuitos. Objetivou-se, em particular, realizar simulações em três tipos de células
de memória: uma célula padrão de 6 transistores, e duas projetadas para serem tolerantes
aos SEEs - Whitaker/Liu e HIT, que possibilitem o seu uso posterior pela Santa Maria
Design House (SMDH), juntamente com o Centro Regional Sul de Pesquisas Espaciais
do Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (CRS/INPE).
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