Implementação de células de memória e simulações de Single Event Effects
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Data
2010-12-09Autor
Guareschi, William do Nascimento
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Este projeto constitui um Trabalho de Graduação do Curso de Ciência da Computação
da Universidade Federal de Santa Maria (UFSM). Neste projeto foram estudadas
técnicas e ferramentas de simulação de Single Event Effects - efeitos da radiação em circuitos
integrados - a partir do software SmartSpice, em diferentes arquiteturas de células
de memória, em nível de circuito.
As simulações de distúrbios causados pela radiação em dispositivos eletrônicos tornam-se
mandatórias para aplicações que necessitam garantias de alta confiabilidade e segurança,
sendo realizadas desde etapas iniciais do projeto. Buscou-se, com a simulação dos
efeitos radioativos em dispositivos de memória estática, fazer um levantamento do impacto
de partículas carregadas presentes na atmosfera, e mesmo em nível terrestre, sobre
estes circuitos. Objetivou-se, em particular, realizar simulações em três tipos de células
de memória: uma célula padrão de 6 transistores, e duas projetadas para serem tolerantes
aos SEEs - Whitaker/Liu e HIT, que possibilitem o seu uso posterior pela Santa Maria
Design House (SMDH), juntamente com o Centro Regional Sul de Pesquisas Espaciais
do Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (CRS/INPE).
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