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dc.creatorSchneider, Angélica Daiane
dc.date.accessioned2022-10-11T15:27:24Z
dc.date.available2022-10-11T15:27:24Z
dc.date.issued2022-09-22
dc.identifier.urihttp://repositorio.ufsm.br/handle/1/26453
dc.description.abstractThe vanadium dioxide(VO2) presents a semiconductor-to-metal (SMT) transition near room temperature, as well as a structural phase transition (monoclinic-tetragonal or triclinictetragonal). The first report on SMT is from 60 years ago, but the underneath physics is still not completely clear. From the fundamental point of view, the current trend is to include the VO2 in the class of complex materials, where the interplay among several mechanisms determines the physical properties. Like other systems of this class, the behavior near transition is strongly related to the material stoichiometry and morphology, wich impacts its applications. On the other hand, the production of VO2 samples using sputtering in a large scale is attractive because of the work temperature of this system. In this work we explore the production of VO2 thin films on silicon substrates by reactive sputtering technique in order to establish its versatility and its reproduction limits. More than twenty samples were produced and used to evaluate the effects of metal target poisoning (by using XPS measuments and monitoring of the target impedance), as well as the atmosphere composition inside the chamber (by using a RGA) on the samples quality. The crystallographic and topographic characteristics of some samples produced under distinct parameters were also investigated. In order to analyze the sample surfaces the atomic force mycroscope was used. The crystallographic phases and its transitions were analyzed by X ray diffraction and from this measurements XR simulations and Williamsom-Hall (W-H) plot were performed to understand the role played by the strain in the film growth. They show that the system assumes crystallographic structures that describe a trajectory in the bulk VO2 phase diagram. Initial results on the electrical response with the current perpendicular to the substrate are shown. Such results were obtained with the CP-AFM technique in samples produced over metallic electrodes. Magnetic susceptibility measurements as a function of temperature and magnetization curves were performed and are presented, indicating promising paths to be explored.eng
dc.description.sponsorshipCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPESpor
dc.languageporpor
dc.publisherUniversidade Federal de Santa Mariapor
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/*
dc.subjectDióxido de vanádiopor
dc.subjectTransição semicondutor-metalpor
dc.subjectSputteringeng
dc.subjectVanadium dioxideeng
dc.subjectSemiconductor to metal transitioneng
dc.titleO desafio tecnológico da produção de VO2 por sputtering reativo: vantagens e limitações da técnicapor
dc.title.alternativeThe technological challenge of VO2 production by reactive sputtering: advantages and limitations of the techniqueeng
dc.typeTesepor
dc.description.resumoO dióxido de vanádio(VO2) apresenta uma transição semicondutor-metal (SMT) próxima a temperatura ambiente, juntamente com uma transição de fase estrutural (monoclínicatetragonal ou triclínica-tetragonal). A primeira observação desse efeito já tem 60 anos, mas a física por trás do fenômeno ainda não está completamente clara. Do ponto de vista fundamental, atualmente o VO2 está incluso na classe de materiais complexos, onde a interação entre vários mecanismos determina as propriedades físicas. Como outros sistemas dessa classe, o comportamento próximo a transição é fortemente sensível a estequiometria e morfologia do material, com impacto em suas aplicações. Por sua vez, a produção de amostras de VO2 por sputtering em larga escala é atrativa do ponto de vista tecnológico por causa das temperaturas em que este opera. Neste trabalho exploramos a produção sobre substratos de silício de filmes finos de VO2 pela técnica de sputtering reativo visando estabelecer a sua versatilidade e os seus limites de reprodução. Mais de vinte amostras foram produzidas, e usadas para avaliar efeitos do envenenamento do alvo metálico (a partir de medidas de espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios X (XPS) e monitoramento da impedância do alvo), bem como da composição da atmosfera na câmara (utilizando um analisador de gás residual (RGA)) sobre a qualidade das amostras. Foram também estudadas as características cristalográficas e morfológicas de algumas amostras produzidas sob diferentes parâmetros. Para visualizar a topografia das amostras foi usado o microscópio de força atômica (AFM). As fases cristalográficas e suas transições foram caracterizadas por difração de raios X e, a partir destas medidas, foram realizadas simulações de RX e curvas de Williamsom-Hall (W-H) com o intuito de entender o papel das deformações no crescimento dos filmes. Elas mostram que o sistema assume estruturas cristalográficas que descrevem uma trajetória no diagrama de fases do VO2 massivo. Resultados iniciais sobre a resposta elétrica com corrente perpendicular ao substrato são mostrados. Tais resultados foram obtidos com a técnica de microscopia de força atômica de sonda condutora (CP-AFM) em amostras produzidas sobre eletrodos metálicos. Medidas de suscetibilidade magnética em função da temperatura e curvas de magnetização foram realizadas e são apresentadas, indicando caminhos promissores a serem explorados.por
dc.contributor.advisor1Dorneles, Lucio Strazzabosco
dc.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/7244173039310066por
dc.contributor.referee1Gomes, Matheus Gamino
dc.contributor.referee2Flores, Wladimir Hernandez
dc.contributor.referee3Daudt, Natália de Freitas
dc.contributor.referee5Oliveira, Artur Harres de
dc.creator.Latteshttp://lattes.cnpq.br/9304625088554861por
dc.publisher.countryBrasilpor
dc.publisher.departmentFísicapor
dc.publisher.initialsUFSMpor
dc.publisher.programPrograma de Pós-Graduação em Físicapor
dc.subject.cnpqCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICApor
dc.publisher.unidadeCentro de Ciências Naturais e Exataspor


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