Influência dos parâmetros do conversor em diferentes tecnologias de transistores de potência
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Autor
Prado, Edemar de Oliveira
Bolsi, Pedro Cerutti
Sartori, Hamiltom Confortin
Pinheiro, José Renes
Metadata
Mostrar registro completoResumo
Este artigo apresenta uma metodologia para seleção de transistores de potência para aplicações em conversores estáticos, avaliando perdas e comparando diferentes tecnologias. Esta análise baseia-se nos modelos térmicos e elétricos dos IGBTs e MOSFETs de Silício (Si), Carboneto de Silício (SiC) e Nitreto de Gálio (GaN) para determinar suas perdas, onde é avaliado o comportamento de cada tecnologia em diferentes faixas de frequência, níveis de potência e diferentes tempos de condução (duty cycles). Para isto foi desenvolvido um algoritmo capaz de calcular perdas por condução e comutação nos dispositivos, por meio de um processo de varredura de frequência, considerando diferentes níveis de potência e tempos de condução. Os resultados mostram as faixas de frequência, níveis de corrente e tempos de condução em que cada tecnologia apresentou melhor desempenho (menores perdas), indicando a tecnologia mais apropriada a ser utilizada em cada aplicação especifica.
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