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dc.creatorSossmeier, Kelly Daiane
dc.date.accessioned2017-05-09
dc.date.available2017-05-09
dc.date.issued2010-07-16
dc.identifier.citationSOSSMEIER, Kelly Daiane. Spin relaxation: damping mechanisms in glass-covered microwires and multilayered films. 2010. 115 f. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de Santa Maria, Santa Maria, 2010.por
dc.identifier.urihttp://repositorio.ufsm.br/handle/1/3889
dc.description.abstractThis work is dedicated to investigate the spin relaxation in amorphous CoFeSiB glass-covered microwires and multilayered films of Permalloy/Cu. The microwires samples were Joule annealed and axially stressed in order to evaluate the modifications in the damping mechanisms due to the stress induced anisotropy. In the films we were interested in the observation of the modifications in the damping mechanisms imposed by the number of interfaces in the samples. We were able to identify the main damping mechanisms responsible for the spin relaxation in these materials by ferromagnetic resonance experiments. In order to explain the ferromagnetic resonance linewidth, we considered the extrinsic magnetic relaxation mechanisms in addition to the intrinsic Gilbert damping term, the intrinsic one. The extrinsic magnetic relaxation takes in to account the broadening induced by the magnetic inhomogeneities and is consistent with the two-magnon scattering model and anisotropy dispersions. The contribution from the intrinsic magnetization relaxation is constant in both systems of samples and is not sensible neither to Joule annealing and applied stress in microwires, nor to the increasing of the bilayers number in the films. The extrinsic contribution is very sensible to the anisotropy induction and is a signature of magnetic and structural inhomogeneities.eng
dc.description.sponsorshipCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior
dc.formatapplication/pdfpor
dc.languageporpor
dc.publisherUniversidade Federal de Santa Mariapor
dc.rightsAcesso Abertopor
dc.subjectMicrofios amorfospor
dc.subjectFilmes multicamadaspor
dc.subjectImpedânciapor
dc.subjectRessonância ferromagnéticapor
dc.subjectMecanismos de amortecimentopor
dc.subjectRelaxação de spinpor
dc.subjectAmorphous microwireseng
dc.subjectFilms, impedanceeng
dc.subjectFerromagnetic resonanceeng
dc.subjectDamping mechanismseng
dc.subjectSpin relaxationeng
dc.titleRelaxação de spin: principais mecanismos em microfios e em filmes multicamadaspor
dc.title.alternativeSpin relaxation: damping mechanisms in glass-covered microwires and multilayered filmseng
dc.typeTesepor
dc.description.resumoEste trabalho é dedicado ao estudo da relaxação de spin em microfios amorfos recobertos por vidro com composição nominal de CoFeSiB e em filmes multicamadas de Permalloy/Cu. Nos microfios, avaliamos o efeito da indução de anisotropia pela aplicação de tensão mecânica e o efeito do alívio de tensões internas promovido por tratamento térmico aos mecanismos de amortecimento responsáveis pela relaxação de spin. Nos filmes, avaliamos as modificações impostas aos mecanismos de amortecimento quando variamos o número de bicamadas. Identificamos e quantificamos os principais mecanismos responsáveis pela relaxação magnética, através da investigação da largura de linha de ressonância ferromagnética. Para explicar as larguras de linha de ressonância ferromagnética observadas consideramos como mecanismo intrínseco o mecanismo de amortecimento de Gilbert. Como mecanismos extrínsecos consideramos o alargamento da linha de ressonância devido a inomogeneidades magnéticas, consistente com o modelo de espalhamento de mágnons e com a presença de dispersões na anisotropia. O termo intrínseco de relaxação é constante em ambos os conjuntos de amostras estudados, não variando com o tratamento térmico ou tensão aplicada, no caso dos microfios, nem com o aumento do número de bicamadas, no caso dos filmes. A contribuição extrínseca de amortecimento mostrou-se bastante sensível à indução de anisotropias e é uma assinatura das inomogeneidades estruturais e magnéticas presentes nas amostras.por
dc.contributor.advisor1Carara, Marcos André
dc.contributor.advisor1Latteshttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4782774A7por
dc.contributor.referee1Geshev, Julian Penkov
dc.contributor.referee1Latteshttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4796188E3por
dc.contributor.referee2Zimmer, Fábio Mallmann
dc.contributor.referee2Latteshttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4775428P9por
dc.contributor.referee3Viegas, Alexandre da Cas
dc.contributor.referee3Latteshttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4721745D6por
dc.contributor.referee4Riffel, Rogemar André
dc.contributor.referee4Latteshttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4764023P2por
dc.creator.Latteshttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4771352J2por
dc.publisher.countryBRpor
dc.publisher.departmentFísicapor
dc.publisher.initialsUFSMpor
dc.publisher.programPrograma de Pós-Graduação em Físicapor
dc.subject.cnpqCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICApor


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